3月6日消息，杭州鎵仁半導體Garen Semi昨日宣布推出全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸，該公司也成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術的企業。

鎵仁半導體此前于2022、2023、2024年分別生長得到了2英寸、4英寸、6英寸的氧化鎵單晶，此次的8英寸單晶具有更優秀的晶圓面積利用率，同時與現有硅基晶圓廠的8英寸產線兼容，將加速氧化鎵產業化應用的步伐。

IT之家獲悉，氧化鎵 —— 準確地說是 β-Ga2O3?—— 具有較碳化硅、氮化鎵更寬的 4.85eV禁帶，還具備優秀的熱和化學穩定性和更高的擊穿電場強度，是第四代半導體中的明星材料。

基于氧化鎵的功率器件可提供更小的電阻和更高的轉換效率，有望將新能源 汽車 平臺電壓推向1200V；同時氧化鎵材料擁有260nm的紫外截止邊，紫外波段的透過率受載流子濃度影響小，適宜制造深紫外波段光電器件。

【來源：IT之家】