DoNews 11月18日消息（編輯 趙晉杰）高通在11月17日，于美國正式發布新一代處理器——驍龍835。目前該處理器已經進入量產階段，預計將于2017年下半年上市。首發機型上，很有可能選擇三星S8。

　驍龍835處理器由高通和三星合作推出，是首款采用三星10nm FinFET制作工藝的高通新旗艦處理器。與上代14nm FinFET工藝的驍龍821等相比，芯片尺寸減少了30%，但性能卻提升了27%。

更小的芯片尺寸也就意味著，今后搭載驍龍835處理器的旗艦手機，在設計上有機會變得更加輕薄或支持更大容量的電池。

此外，配合驍龍835，高通還推出了新一代的快充技術Quick Charge 4。QC4.0能在大約15分鐘或更短時間內，為一部手機充入高達50%的電量，相比QC 3.0，充電速度提升了20%。官方稱充電5分鐘，即可延長手機使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。

另外，QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，適配范圍更廣泛。

而USB-PD正是谷歌最新在安卓兼容性定義文檔中加入的條目，用以保證手機在快充過程中的安全性。　

對于手機過熱的擔憂，高通表示，所有使用驍龍835的手機都將獲得三級電流和四級電壓保護，而且Q C 4.0技術可以讓手機溫度降低高達5攝氏度。

由于驍龍835是高通和三星合作研發，且三星新旗艦S8也已經確定將于2017年發布。所以，S8很可能會成為驍龍835芯片的首發機型。