此前有報道稱，三星在今年7月向英偉達提供了HBM4樣品，目前已經通過了初步的質量測試。如果能通過英偉達最后的驗證步驟，最早可能在11月或12月開始實現大規(guī)模生產。眾所周知，過去幾個季度里，三星一直試圖加入到英偉達下一代Rubin產品的供應鏈，提供HBM4，對于三星的存儲器業(yè)務來說非常關鍵，因為在人工智能（AI）芯片需求的推動下，英偉達是目前HBM產品的最大客戶。

據Wccftech報道，三星現在正準備與SK海力士及美光進行“價格戰(zhàn)”，計劃向英偉達提供極具競爭力的HBM4定價。為此三星希望盡快提升生產能力，并采購更多ASML的光刻設備。更為重要的是，三星愿意放棄利潤率，以確保能夠進入英偉達下一代Rubin產品的合作伙伴名單。

三星之所以這么有信心，這主要來自于其擁有自己獨立的邏輯和存儲器半導體生產線。因為從HBM4時代開始，廠商開始將基礎裸片（Base Die）的生產從傳統(tǒng)的DRAM工藝轉移到代工廠，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。

SK海力士很早就確定在HBM4上選擇臺積電進行合作，可是先進制程節(jié)點的高成本可能讓其HBM產品的定價高于三星。美光出于成本方面的考慮，HBM4仍然采用DRAM工藝生產基礎裸片，到HBM4E才轉換到臺積電，不過這么做有可能讓自身的產品性能受到影響。

三星董事長李在镕最近與英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛會面，雙方有可能談到了未來在HBM和其他領域的合作計劃。

【來源：超能網】