軟銀與英特爾合作研發(fā)新型AI 內(nèi)存芯片,耗電量將減半
據(jù)環(huán)球網(wǎng)援引日經(jīng)亞洲報道,軟銀集團與英特爾公司正攜手開展一項重要合作,共同開發(fā)一款全新的AI 專用內(nèi)存芯片,這款芯片有望在耗電量方面實現(xiàn)大幅降低。
雙方計劃設計的是一種新型堆疊式DRAM 芯片,該芯片采用了不同于現(xiàn)有高帶寬內(nèi)存(HBM)的布線方式,預計可將電力消耗減少約一半。這一創(chuàng)新設計將有效提升芯片的能效比,對于降低 AI 數(shù)據(jù)中心的運營成本以及推動綠色計算具有意義。
負責該研發(fā)項目的是新成立的公司Saimemory。據(jù)了解,項目所采用的技術(shù)源自英特爾,同時結(jié)合了東京大學等日本高校的專利成果。Saimemory 將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責。
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