雷鋒網(公眾號：雷鋒網) 消息，在今天舉行的Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進入量產，并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。 三星電子的代工銷售和營銷團隊執行副總裁Charlie Bae稱

【環球網科技報道 記者陳健】 盡管有關“摩爾定律”就要失效，但是對于科技的追求，科技巨頭們永不止步。三星宣布，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將在年內投入量產。 三星表示，其實目前使用的高通驍龍835和Exynos 8895都是第一代10nm LPE制程工藝，而今后三星代工的處理器則將使用更

三星鳳凰科技訊 北京時間3月17日消息，據國外媒體phonearena報道，三星電子宣布其10納米（nm）FinFET工藝技術的產能正在穩步提升。與此同時，還將發力8nm和6nm工藝技術的研發。三星昨天宣布稱，它正在加快生產10nm芯片。目前為止，已經將70000多顆第一代LPE（低功耗早期）硅晶片交付給客戶。三星自家

?　　三星Exynos 9處理器曝光：采用三星10nm工藝。三星新旗艦手機Galaxy S8預計將在3月份正式亮相，而且其將抽發達在高通最強處理器驍龍835。不過現在，三星官方在Twitter上發文透露了下一代Exynos處理器的相關消息。三星在官方Twitter上發文：“Be Ready for#TheNextEx

驍龍835鳳凰科技訊 11月17日消息，Qualcomm高通今天宣布其最新旗艦芯片將采用三星10納米FinFET制程工藝打造。搭載這一處理器的終端產品將于明年上半年出貨。高通方面表示，全新10納米制程節點的采用，在提高驍龍835處理器性能的同時，將帶來更低的功耗，同時還能增加諸多全新功能。今年10月，三星宣布率先在業界

從14nm FinFET工藝節點開始，三星似乎在追隨摩爾定律的道路上已經領先了臺積電和英特爾一個身為。去年年底，三星曾對外公開了其10nm晶圓的模型，而現在這一工藝已經開始量產了。據外媒報道，三星今日上午宣布其10nm制程工藝已經開始量產，而搭載該工藝芯片的產品將會在明年問世，Galaxy S8（Exynos 8895

藍鯨 TMT 9月24日文：現在，三星在半導體工藝方面日趨成熟，14nm性能極佳(GF/AMD跟它形影不離)，離10nm也不遠了，但是近來卻發生一件嚴重的泄露機密事件。 涉嫌售賣商業機密的是三星System LSI部門的一位李姓高管，他所在的部門是是三星核心處理器架構的主要輸出單位。如果這件事屬實，那

三星如今在半導體工藝方面一路精進，14nm無比卓越(GF/AMD就靠它活著)，10nm也近在眼前，不過現在卻發生了一件嚴重的泄密事件。三星高管被捕據報道，韓國警方近日逮捕了三星System LSI部門的一位李姓高管，原因是他講該公司的半導體技術機密賣給了某中國公司，而對方是三星電子的直接競爭對手(具體是誰未公開)。

據韓國媒體最新報道，三星半導體目前已經研發出了世界上第一顆基于10nm FinFET工藝的SRAM。其實IBM半導體聯盟早在今年7月就制造了世界首個10nm的晶圓，但由于10nm工藝的技術難題，各大半導體廠家都相繼推遲了它們的10nm 工藝計劃。所謂的SRAM中文譯名是靜態隨機存取存儲器，大多數用于CPU緩存，基于10

三星和臺積電的爭奪從來就沒停止。4月份，臺積電曾表示希望到2016年其14nm和16nm工藝能達到市場占有率最高的位置，并且高調宣布到2016年底10nm工藝芯片將投產?，F在，三星也公布了其FinFET工藝路線圖，正式宣布和臺積電一樣，將在明年底量產10nm FinFET工藝。與此同時，三星還表示，到2016年底，韓國