4月30日消息，英特爾新任CEO陳立武今日在美國(guó)加州圣何塞舉行的Intel Foundry Direct Connect 2025活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。

陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的14A工藝節(jié)點(diǎn)（1.4nm等效）的主要客戶進(jìn)行接觸，這是18A工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。

英特爾已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片14A測(cè)試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。

如果一切按計(jì)劃進(jìn)行，14A將成為行業(yè)首個(gè)采用High-NA EUV光刻技術(shù)的節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的A14競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在2028年到來，但預(yù)計(jì)不會(huì)在生產(chǎn)中使用High-NA技術(shù)。

陳立武還透露，公司的關(guān)鍵18A節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)㈤_始量產(chǎn)。

英特爾還透露其新的18A-P（IT之家注：18A節(jié)點(diǎn)的性能版本）現(xiàn)在正在晶圓廠中運(yùn)行，早期晶圓也已投產(chǎn)。

此外，英特爾官宣正在開發(fā)新的18A-PT版本，該版本支持Foveros Direct 3D，采用混合鍵合互連，使英特爾能夠在其最先進(jìn)的領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)上垂直堆疊晶圓。

Foveros Direct 3D技術(shù)是一個(gè)關(guān)鍵的發(fā)展，因?yàn)樗峁┝艘环N競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電已在生產(chǎn)中使用的功能，最著名的是AMD的3D V-Cache產(chǎn)品。事實(shí)上，英特爾在關(guān)鍵互連密度測(cè)量方面的實(shí)現(xiàn)與臺(tái)積電的產(chǎn)品相匹配。

在成熟的節(jié)點(diǎn)方面，英特爾晶圓廠現(xiàn)在有了首個(gè) 16nm 量產(chǎn)晶圓，該公司現(xiàn)在也在與聯(lián)電合作開發(fā)12nm節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)英特爾的官方路線圖，18A-P將在2026年推出，18A-PT要等到2028年。此外，14A將在2027年到來，還會(huì)有14A-E工藝。

針對(duì)先進(jìn)封裝需求，英特爾代工提供系統(tǒng)級(jí)集成服務(wù)，使用Intel 14A和Intel 18A-P 制程節(jié)點(diǎn)，通過 Foveros Direct（3D堆疊）和 EMIB（2.5D橋接）技術(shù)實(shí)現(xiàn)連接。

英特爾還將向客戶提供新的先進(jìn)封裝技術(shù)，包括面向未來高帶寬內(nèi)存需求的EMIB-T；在Foveros 3D先進(jìn)封裝技術(shù)方面，F(xiàn)overos-R和 Foveros-B也將為客戶提供更多高效靈活的選擇。

制造方面，英特爾亞利桑那州的Fab 52晶圓廠成功“全流程運(yùn)行”，標(biāo)志著通過該設(shè)施加工了第一塊晶圓。英特爾18A的大規(guī)模生產(chǎn)將在俄勒岡州的英特爾工廠開始，而亞利桑那州的制造將在今年晚些時(shí)候擴(kuò)大。

【來源： IT之家 】